Soitec S.A., ein 1992 gegründetes Unternehmen mit Hauptsitz in Bernin, Frankreich, ist weltweit führend in der Entwicklung und Herstellung fortschrittlicher Halbleitermaterialien. Diese hochspezialisierten Substrate sind für die Herstellung der Mikrochips von entscheidender Bedeutung, die weltweit in einer Vielzahl elektronischer Geräte zum Einsatz kommen. Die Technologie des Unternehmens ist aus der Unterhaltungselektronik wie Smartphones, Tablets und PCs nicht mehr wegzudenken und erstreckt sich bis hin zu kritischer IT-Infrastruktur wie Servern und Rechenzentren. Über den Bereich der Personal Computer hinaus kommen die Materialien von Soitec auch in elektronischen Bauteilen für die Automobilindustrie, im Internet verbundenen Geräten sowie in spezialisierten Industrie- und medizinischen Geräten zum Einsatz. Das Unternehmen bietet ein umfassendes Sortiment an speziell entwickelten Substraten an, die jeweils für bestimmte Hochleistungsanwendungen konzipiert sind. So unterstützt beispielsweise die Fully Depleted Silicon-On-Insulator (FD-SOI)-Technologie Prozessoren und Radarsysteme im Automobilsektor. Der Hochleistungsrechnerbereich profitiert von den PD-SOI- und FinFET-SOI-Lösungen des Unternehmens. Im Bereich der Mobilkommunikation sind RF-SOI-Substrate von grundlegender Bedeutung für Front-End-Module sowohl in 4G-LTE- als auch in den neuesten 5G-Smartphones (einschließlich Frequenzen unter 6 GHz und im Millimeterwellenbereich). Darüber hinaus bietet Soitec Power-SOI-Produkte zur Integration von Hoch- und Niederspannungsfunktionen in integrierte Schaltkreise für die Leistungselektronik an, die für Anwendungen in der Automobilindustrie und in der Industrie von entscheidender Bedeutung sind. Optische Netzwerklösungen nutzen das „Smart Photonics-SOI“, während „Smart Imager-SOI“ für modernste 3D-Bildsensorik entwickelt wurde. Das Unternehmen leistet zudem mit „Auto Smartsic“ einen Beitrag zur nachhaltigen Mobilität. Zur weiteren Erweiterung seines Portfolios unterstützt „Connect RF-GaN“ den Aufbau der 5G-Infrastruktur und verbessert Leistungsverstärker für Smartphones. Hochleistungsfilter für akustische Oberflächenwellen basieren auf speziell entwickelten „Connect-POI“-Substraten, und Epitaxie-Wafer aus Galliumnitrid (GaN) stehen für die Entwicklung energieeffizienter Energiemanagementsysteme zur Verfügung.